Anteriormente he investigado sobre una disciplina en física de estado sólido que se ocupa del estudio de multiferroics, que está relacionado con el desarrollo de RAM magnetoresistiva (MRAM). No estoy seguro de si hay notas de clase; Hice un rápido google y encontré una página alojada por ETH Zurich que describe los conceptos básicos: ETH – FERROIC – Multiferroics.
La esencia básica de multferroics es que algunos materiales exhiben características interesantes llamadas “parámetros ferroicos”. Dos especialmente interesantes, el ferromagnetismo y la ferroelectricidad, están unidos por algo conocido como el efecto magnetoeléctrico, que permite que un campo magnético externo altere un campo magnético de materiales y viceversa. Este efecto es lo que se usa en MRAM para almacenar memoria. La parte “nueva” de esta tecnología es que ahora mismo, solo hay uno, posiblemente dos materiales que pueden mostrar el efecto a temperatura ambiente, y hay investigaciones en curso para averiguar más sobre estos materiales.